超级结MOSFET
技术介绍

超结MOSFET ( Metal Oxide Semiconducto Field Effect Transistor)，在传统VDMOS的基础上，通过交替排布的P型柱，引入一个横向电场，使超结MOSFET垂直方向上的电场分布近似于矩形，在相同外延电阻的条件下，明显提高了产品的耐压。对于相同耐压的产品，超结MOSFET相比传统的VDMOS,单位面积的导通电阻降低到原来的1/8以内，显著提升了器件性能。